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Synopsys 推出业界首个 HBM3 内存设计解决方案,带宽 921 GB/s

来源: 编辑:作者:冷泉 时间:2021-10-10
导读: DesignWare HBM3 PHY IP 采用 5nm 制造工艺,同时每个引脚的通讯速度高达 7200Mbps,同时更加节能

10 月 10 日消息 根据外媒 techpowerup 报道,美国公司 Synopsys(新思)于 10 月 9 日宣布推出业界首个完整的 HBM3 IP 内存芯片设计方案。这项技术是 HBM2e 的升级版,可以满足高性能计算设备、计算加速卡等产品的高带宽需求,采用多层芯片封装的工艺。HBM 内存通常封装在 GPU 芯片旁,相比传统显存芯片速率大幅提升,HBM3 可以实现高达 921GB/s 的内存带宽。

据了解,新思科技是全球排名第一的电子设计自动化 (EDA) 解决方案提供商,全球排名第一的芯片接口 IP 供应商,主要提供芯片设计软件和解决方案等。本次发布的 HBM3 解决方案,包括验证 IP、用于 ZeBu 仿真的 HBM3 模型以及 HAPS 原型设计方案等,可以加速相关产品的设计开发流程。

新思科技的 DesignWare HBM3 控制器 IP 还支持多种灵活的配置,包括纠错码、刷新管理、奇偶校验等高级 RAS 功能,可以最大化减少内库存延迟,优化数据完整性。具体来看,方案中的 HBM3 芯片利用特制的微凸点阵列与中间通讯层连接,中间层采用内走线设计,具有更大的灵活性,有助于缩小长度。

DesignWare HBM3 PHY IP 采用 5nm 制造工艺,同时每个引脚的通讯速度高达 7200Mbps。芯片的电源效率相比前代产品也有提升,并支持多达 4 种功耗状态。官方表示,Synopsys 公司将继续满足数据密集型 SoC 的设计和验证要求,为 HBM3、DDR5、LPDDR5 内存提供高质量的解决方案。

了解到,美光、三星电子以及 SK 海力士等该公司均表示,将继续与新思科技进行合作,致力于开发下一代 HBM3 内存,以满足日益增长的 AI、图形运算需求。

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责任编辑:作者:冷泉

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